时间：2025/9/2 5:25:44
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H5TQ4G63MFR-PBI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于移动DRAM类别，广泛应用于移动设备和嵌入式系统中，以提供高性能和低功耗的内存解决方案。H5TQ4G63MFR-PBI 采用了先进的制造工艺，具有较高的集成度和稳定性，适用于多种应用场景。
容量：4Gb
类型：Mobile DRAM (LPDDR3)
封装：FBGA
数据速率：1600Mbps
电压：1.35V / 1.5V
组织结构：x32
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5TQ4G63MFR-PBI 是一款低功耗DDR3（LPDDR3）移动DRAM芯片，具有出色的性能和能效。该芯片的数据传输速率可达1600Mbps，能够满足高性能计算和图形处理的需求。其工作电压为1.35V至1.5V，能够在不同的电源条件下稳定运行，进一步降低了功耗和发热。
这款芯片采用了FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的封装密度和良好的散热性能，适用于空间受限的移动设备。其x32的组织结构使其能够在单个芯片上实现更高的数据带宽，适合需要大量数据处理的应用场景。
H5TQ4G63MFR-PBI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种环境条件下稳定运行。这使得它不仅适用于消费类电子产品，还可以用于工业和汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。
H5TQ4G63MFR-PBI 主要应用于移动设备如智能手机和平板电脑，作为主存储器使用。它也可以用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车信息娱乐系统和便携式电子产品，提供高效、稳定的内存解决方案。
H5TC4G63MFR-PBI, H5TQ2G63MFR-PBC, H5TQ4G63AFR-PBI
