SSW1N60A是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等电力电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适合在中高功率应用场景中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):1.5A(@25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤3.5Ω
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-92 或 TO-220(依具体厂家而定)
SSW1N60A具备多项优异的电气特性,首先其高耐压能力(600V Vds)使其适用于多种高压应用场合,如电源适配器、LED驱动电源等。
其次,该MOSFET的导通电阻较低(Rds(on) ≤ 3.5Ω),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,其封装形式(如TO-220)具有良好的散热性能,提升了器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
SSW1N60A还具备较高的栅极抗干扰能力,栅源电压容限为±20V,确保在复杂电磁环境中仍能正常工作。
该器件的封装设计也有利于安装和散热管理,适合自动化生产和长时间运行的工业级应用。
SSW1N60A主要应用于以下领域:
在开关电源中,作为高压侧开关管,用于AC-DC转换电路,提供高效的功率转换能力。
在DC-DC转换器中,作为同步整流管或主开关管,提升能效并减少热量产生。
在逆变器系统中,如太阳能逆变器或UPS不间断电源,用于将直流电转换为交流电,驱动负载运行。
在电机控制电路中,作为功率开关,用于控制直流电机或步进电机的启停与调速。
另外,该器件也适用于LED照明驱动、电池充电器、电焊机等对功率开关有较高要求的场合。
2N60, 12N60, FQP1N60, IRF840, STW1N60K