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SSW1N50A 发布时间 时间:2025/8/25 3:47:21 查看 阅读:16

SSW1N50A是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高电压应用,如开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关。其主要特点是具有较高的漏源击穿电压(500V),以及适合快速开关操作的低导通电阻和低门极电荷。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):1A
  最大导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
  门极电荷(Qg):7nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-92

特性

SSW1N50A具备一系列优良的电气和物理特性,使其适用于多种高电压和高效率应用。其主要特性包括:
  1. **高耐压能力**:500V的漏源击穿电压使其适用于中高功率应用,如开关电源和逆变器设计,确保在高压条件下稳定运行。
  2. **低导通电阻**:在10V栅极驱动电压下,导通电阻(Rds(on))为1.2Ω,降低了导通损耗,有助于提高能效。
  3. **低门极电荷**:门极电荷(Qg)为7nC,支持快速开关操作,减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  4. **良好的热稳定性**:采用TO-92封装形式,具备良好的散热性能,在额定电流下仍能保持较低的温度上升。
  5. **高可靠性**:内部结构优化,具备较强的抗静电能力和抗过载能力,适用于工业环境中的长时间运行。
  6. **低成本优势**:相比其他同规格的功率MOSFET,SSW1N50A具有较高的性价比,适合大规模应用。

应用

SSW1N50A主要应用于以下场景:
  1. **开关电源(SMPS)**:作为主开关或辅助开关,用于AC-DC转换器中,提供高效的能量转换。
  2. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)或降压(Buck)电路中,作为功率开关元件,实现稳定的电压调节。
  3. **负载开关**:用于控制高电压负载的开启和关闭,例如LED驱动、电热器和小型电机。
  4. **电机驱动**:适用于小型电机的PWM控制,如风扇、泵和小型机器人系统。
  5. **电池管理系统(BMS)**:作为电池充放电回路中的开关元件,提供安全可靠的控制。
  6. **家电控制**:如微波炉、洗衣机等家电产品中的继电器替代方案,提高系统响应速度并减少机械磨损。

替代型号

STP1N50M5、IRF840、2SK2225、FQP1N50C

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