SSU4N60B 时间：2025/12/29 14:42:05 阅读：15

SSU4N60B是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源、电机控制和负载开关等应用中。该器件采用先进的高压工艺制造，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻。SSU4N60B封装通常为TO-220或类似的功率封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：4A（最大值）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω（典型值，具体取决于测试条件）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

SSU4N60B具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种功率电子应用。首先，其高耐压能力（600V Vds）使其适用于高压电源转换和开关电路。其次，该MOSFET的栅源电压容限为±30V，提供了较高的栅极控制灵活性和可靠性，避免因过高的驱动电压导致损坏。此外，其漏极电流额定值为4A，适合中等功率的开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动器和小型电机控制器。
　　在导通状态下，SSU4N60B的导通电阻（Rds(on)）较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，该器件的热性能良好，结合TO-220封装的散热能力，可在较高功率条件下保持稳定运行。SSU4N60B还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提升了器件在严苛环境下的可靠性。
　　该MOSFET的开关特性也非常出色，具备较快的开关速度，有助于减小开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其栅极电荷较低，使得驱动电路的设计更为简单，减少了对外部驱动电路的要求。

应用

SSU4N60B广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高压和中等电流控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC降压/升压变换器、电机驱动器、继电器驱动电路以及各种负载开关电路。由于其具备良好的耐压和导通性能，该器件也常用于LED照明驱动、家电控制模块和工业自动化设备中的功率控制单元。此外，SSU4N60B还可用于电池管理系统（BMS）、逆变器以及UPS不间断电源系统中，作为关键的功率开关元件。