SSU2N80ATU 时间：2025/12/29 15:09:30 阅读：8

SSU2N80ATU 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的高压制程技术，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各种工业应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏-源电压：800V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（典型值）
　　栅极电压范围：±30V
　　最大功耗：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

SSU2N80ATU 具有出色的高压耐受能力和低导通电阻特性，使其在高电压应用中表现出色。其先进的制造工艺确保了良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外，该器件的封装设计有助于提高散热效率，延长器件的使用寿命。
　　该MOSFET还具有快速开关能力，降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。其栅极驱动特性优化，能够与多种控制电路兼容，方便设计人员在实际应用中进行集成。同时，该器件的封装形式（TO-252）适合表面贴装工艺，便于大规模生产和自动化组装。

应用

SSU2N80ATU 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明系统以及工业自动化设备。由于其高电压耐受性和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高效能功率开关的场合，如变频器、UPS（不间断电源）和电池管理系统等。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，SSU2N80ATU 也常被用作核心功率开关元件。