类型：同步SRAM
　　接口类型：并行，DDR
　　存储容量：11.25 Mbit
　　组织结构：512K × 18
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　时钟频率：最高可达133 MHz
　　数据速率：266 Mbps（双倍数据率）
　　访问时间：约7.5ns
　　供电电流：典型值180mA（活动模式）
　　待机电流：典型值50μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：84-TQFP（Thin Quad Flat Package）或 84-FBGA

SSTA56T116的核心特性之一是其Zero Bus Turnaround（ZBT）架构，这一技术允许在无需插入任何空闲周期的情况下实现读写操作之间的无缝切换，极大提升了总线利用率和系统性能。传统SRAM在读写转换时往往需要插入一个或多个等待周期以避免总线冲突，而SSTA56T116通过精密的内部时序控制和输出使能管理，彻底消除了这种延迟，特别适合突发数据流处理场景，如网络路由缓冲、帧缓存和实时信号采集系统。
　　该器件支持双倍数据率（DDR）传输模式，在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据，使有效数据速率翻倍，达到266 Mbps以上，显著增强了数据吞吐能力。其同步接口与系统时钟完全对齐，所有输入输出操作均在时钟驱动下完成，确保了时序的一致性和可预测性，有利于构建高精度定时控制系统。
　　SSTA56T116采用优化的CMOS电路设计，在保证高速运行的同时实现了较低的动态功耗。当处于非活跃状态时，器件可自动进入低功耗待机模式，大幅减少静态电流消耗。此外，它具备三态输出功能，支持多设备共享总线架构，增强了系统的扩展性和灵活性。
　　为了适应工业应用的需求，SSTA56T116具有良好的噪声抑制能力和电平兼容性，能够稳定工作在电磁干扰较强的环境中。其引脚布局经过精心设计，便于PCB布线和阻抗匹配，有助于减少信号反射和串扰，提高高频工作的可靠性。整体而言，该芯片结合了高速、低延迟、低功耗和高可靠性等多项优势，是一款面向高端嵌入式系统的理想缓存解决方案。

SSTA56T116广泛应用于需要高速、低延迟数据交换的通信与网络设备中，尤其是在网络交换机、路由器和光传输模块中作为暂存缓冲器使用，用于临时存储数据包头信息、队列管理和流量调度等任务。由于其支持零总线周转时间和双倍数据率传输，非常适合处理突发性强、吞吐量大的数据流，能够在不增加CPU负担的情况下高效完成数据转发操作。
　　在电信基础设施领域，该芯片常被用于基站信号处理单元、数字上下变频器（DDC/DUC）以及协议转换网关中，承担实时采样数据的暂存与转发功能。其确定性的访问时序和稳定的电气性能使其成为构建高可用性通信链路的关键组件。
　　此外，SSTA56T116也适用于测试与测量仪器，如高速示波器、逻辑分析仪和自动化测试设备（ATE），在这些设备中用作高速采集数据的临时缓存，确保不会因存储瓶颈导致数据丢失。其工业级温度范围和抗干扰设计使其能在实验室和现场恶劣环境下长期稳定运行。
　　在工业控制和军事航空电子系统中，该器件可用于雷达信号处理、图像帧缓存、飞行控制系统中的状态记录等关键任务。得益于其无需刷新、即时访问的特点，SSTA56T116在实时控制系统中表现出优于DRAM的响应速度和可靠性，是构建高性能嵌入式系统的优选存储方案。

SSTL56T116
　　SSTB56T116
　　CYZB1020KV18G