时间:2025/12/26 19:20:43
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HFA35HB60C是一款由安森美(onsemi)生产的高压、高速、超快恢复二极管,专为高效率和高可靠性电源应用设计。该器件采用平面功率MELF封装技术,具备优异的热性能和机械稳定性,适用于需要高耐压、低反向漏电流以及快速开关特性的电路中。HFA35HB60C的额定重复峰值反向电压(VRRM)为600V,平均整流电流(IO)为3.5A,能够承受较高的瞬态电压冲击,适合在恶劣工作环境下稳定运行。该二极管广泛应用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)电路以及各种工业电源系统中。
该器件的关键优势在于其超快恢复特性,具有非常短的反向恢复时间(trr),通常在几十纳秒量级,有效降低了开关过程中的能量损耗,从而提高了整体系统效率。此外,HFA35HB60C具有较低的正向导通压降(VF),有助于减少导通期间的功率损耗,提升能效表现。其封装形式为DO-214AB(SMC),便于在PCB上实现良好的散热设计,并支持自动焊接工艺,适用于大规模生产场景。由于其高可靠性和稳定的电气性能,HFA35HB60C也常用于对安全性和长期稳定性要求较高的工业与消费类电子产品中。
型号:HFA35HB60C
制造商:onsemi(安森美)
器件类型:超快恢复二极管
封装类型:DO-214AB(SMC)
重复峰值反向电压 VRRM:600V
平均整流电流 IO:3.5A
非重复峰值正向浪涌电流 IFSM:80A
正向压降 VF(典型值):1.7V @ 3.5A, 150°C
最大反向漏电流 IR:5μA @ 150°C
反向恢复时间 trr(典型值):75ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
HFA35HB60C的核心特性之一是其卓越的超快恢复能力,这使其在高频开关电源环境中表现出色。传统的整流二极管在从导通状态切换到截止状态时会产生较长的反向恢复时间,导致显著的能量损耗和电磁干扰(EMI)。而HFA35HB60C通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术,实现了极短的反向恢复时间(trr),典型值仅为75ns,极大减少了开关过程中的动态损耗,提升了系统的整体能效。这种快速恢复特性特别适用于现代高频率工作的开关电源拓扑结构,如LLC谐振变换器、有源钳位反激式转换器等,有助于减小磁性元件体积并提高功率密度。
其次,该器件具备出色的热稳定性和高温工作能力。在150°C的高温条件下,其最大反向漏电流仅为5μA,说明其在高温环境下仍能保持良好的阻断性能,避免因漏电流增大而导致的功耗上升或热失控风险。同时,正向压降在高温下也维持在较低水平(1.7V @ 3.5A, 150°C),进一步保障了高温工况下的能效表现。这一特性对于需要长时间连续运行的工业电源、通信电源及新能源发电系统尤为重要。
此外,HFA35HB60C采用DO-214AB(SMC)表面贴装封装,具有较大的焊盘面积,有利于热量从芯片传导至PCB,提升散热效率。该封装符合RoHS环保标准,且具备良好的机械强度和抗热冲击能力,适用于回流焊和波峰焊等多种装配工艺。其3.5A的平均整流电流能力配合80A的非重复浪涌电流耐受能力,使得该器件能够在启动或负载突变等瞬态情况下可靠运行,增强了系统的鲁棒性。最后,得益于安森美严格的制造工艺和质量控制体系,HFA35HB60C具有高度的一致性和长寿命,适合用于对可靠性要求极高的应用场景。
HFA35HB60C广泛应用于各类中高功率开关电源系统中,尤其是在需要高效、高频率和高可靠性的场合。典型应用包括AC-DC开关电源中的输出整流或续流二极管,特别是在单端反激(Flyback)、双管正激(Forward)、桥式拓扑以及功率因数校正(PFC)升压二极管位置。由于其600V的耐压等级,非常适合用于通用输入电压范围(85VAC ~ 265VAC)的电源适配器、充电器、LED驱动电源等产品中。
在工业领域,HFA35HB60C常用于工业控制电源、伺服驱动器、UPS不间断电源和逆变器中,作为主整流或箝位二极管使用。其快速恢复特性有助于降低开关管的关断应力,防止电压尖峰损坏MOSFET或IGBT,从而提升整个系统的安全性和寿命。在太阳能光伏逆变器中,该器件可用于直流侧的防反接保护或旁路功能,确保系统在阴影遮挡或组件故障时仍能正常运行。
此外,在电动汽车车载充电机(OBC)、充电桩辅助电源模块以及电信电源系统中,HFA35HB60C也因其高可靠性与良好热性能而被广泛采用。其表面贴装封装形式便于自动化生产,适合批量制造需求。由于其具备较强的抗浪涌能力和稳定的高温性能,即使在电网波动较大或环境温度较高的地区也能保持稳定工作,因此在户外设备和严苛工业环境中具有明显优势。
STTH3R06,SF36,EH306