容量：128Mbit（16MB）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：60ns
　　接口类型：并行异步接口
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-TSOP
　　读取电流：最大15mA
　　待机电流：最大5μA
　　擦写周期：10万次
　　数据保持时间：100年

SST85LD1008M-60-PC-LCTE 是一款专为高性能和低功耗设计的 NOR 闪存芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片采用了 SST 的 SuperFlash? 技术，这是一种专有的分栅（Split-Gate）单元结构技术，提供了卓越的擦写性能和可靠性。这种技术使得芯片在擦写操作中具有更高的效率和更低的功耗，同时延长了存储单元的使用寿命，擦写周期可达10万次，数据保持时间长达100年。
　　其次，SST85LD1008M-60-PC-LCTE 支持2.7V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种低功耗应用环境，包括电池供电设备和便携式电子产品。在工作状态下，芯片的最大读取电流仅为15mA，而在待机模式下，电流消耗可低至5μA，显著降低了整体功耗。
　　该芯片的访问时间为60ns，支持快速的随机读取操作，适用于需要快速启动和执行代码的应用场景，如嵌入式系统中的固件存储。此外，它支持标准的并行异步接口，兼容多种处理器和控制器，简化了系统集成和硬件设计。
　　SST85LD1008M-60-PC-LCTE 采用56引脚 TSOP 封装，符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种恶劣环境下的工业控制、汽车电子和通信设备。此外，该芯片通过了 RoHS 认证，符合环保要求，适合绿色电子产品的设计。
　　为了提高数据安全性，该芯片还支持软件数据保护机制，并提供硬件写保护引脚，防止意外写入和擦除操作，确保关键数据的安全性和完整性。

SST85LD1008M-60-PC-LCTE 适用于多种需要高性能、低功耗和高可靠性的应用场景。其快速随机读取能力和低功耗特性使其成为嵌入式系统中理想的固件存储解决方案，特别是在需要快速启动和执行代码的场合，如微控制器系统、工业自动化设备、医疗仪器、网络设备和消费类电子产品。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储关键的控制程序、校准数据和系统配置信息，确保设备在各种环境下稳定运行。其宽电压范围和低待机电流也使其适用于远程传感器和电池供电设备。
　　在汽车电子方面，SST85LD1008M-60-PC-LCTE 可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、仪表盘控制器等，支持汽车电子系统对数据存储的高可靠性要求。
　　此外，该芯片也广泛应用于通信设备、安防系统和智能电表等领域，为系统提供稳定可靠的非易失性存储解决方案。

SST39LF800AB-60-4C-EKEB, AM29LV160DB-60RE, MX29LV160ABTC-60G, W29N01HV-6AJI