容量：16 Mbit
　　组织结构：2,097,152 x 8 / 1,048,576 x 16
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　读取访问时间：70ns / 90ns 可选
　　工作电流：典型值 9mA（读取模式）
　　待机电流：典型值 1μA
　　擦除电压：内部电荷泵生成
　　编程电压：内部生成
　　封装类型：48-pin TSOP, 48-ball FBGA
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C），工业级（-40°C 至 +85°C）
　　总线接口：8/16位并行接口
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　编程方式：字编程
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：100年

SST39VF160的核心技术是SST独有的SuperFlash技术，这是一种基于双注入金属-氧化物-半导体（SIMOS）结构的专利技术，与传统浮栅Flash不同，它通过优化隧道氧化层和电荷注入机制，显著提升了编程和擦除速度，同时降低了功耗。该技术允许在较低的电压下实现高效的编程操作，无需外部高压电源，所有内部操作均由片上电荷泵完成。这种架构不仅提高了可靠性，还减少了对外部元件的需求，简化了系统设计。SuperFlash单元具有出色的耐久性和数据保持能力，支持高达10万次的编程/擦除周期，并保证在极端温度条件下数据可保存长达100年，非常适合工业和汽车应用。
　　该芯片支持灵活的擦除模式，包括按扇区（4KB）、按块（32KB）以及整片擦除，用户可以根据实际需求选择最合适的擦除粒度，从而提高系统效率并延长器件寿命。每个扇区可以独立进行编程和擦除，支持现场固件升级（Field Firmware Update）功能。此外，SST39VF160集成了硬件写保护功能，通过WP#引脚可以在物理层面锁定部分或全部存储区域，防止在上电、掉电或系统异常期间发生意外写入或擦除操作，极大增强了系统安全性。
　　在性能方面，SST39VF160提供70ns或90ns的快速读取访问时间，能够满足高速微控制器对程序执行速度的要求，适合用于XIP（Execute-In-Place）应用，即直接从Flash中运行代码而无需加载到RAM。其低待机电流（典型值1μA）使其非常适合便携式设备和长期运行的嵌入式系统。器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。此外，SST39VF160具备良好的ESD防护能力（超过4000V HBM），提高了在复杂电磁环境下的抗干扰能力和可靠性。

SST39VF160广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中，作为主程序存储器使用。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、远程I/O模块等设备中存储固件和配置数据，其高可靠性和宽温工作能力确保在恶劣环境下稳定运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机、网桥和无线接入点，该芯片用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像和网络协议栈，支持快速启动和现场升级功能。
　　在消费类电子产品中，SST39VF160可用于数字机顶盒、DVD播放器、智能电视、电子书阅读器等设备中存储应用程序代码和用户界面资源。由于其支持8/16位并行接口，能够无缝连接多种主流微处理器和DSP，因此也常见于医疗设备、测试仪器、POS终端、安防监控系统等专业设备中。
　　此外，在汽车电子领域，尽管该型号不一定是AEC-Q100认证产品，但在非动力总成类应用中，如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块、车身控制模块（BCM）中也有使用。其快速读取特性和XIP能力使得系统可以在不占用宝贵RAM资源的情况下直接执行程序代码，优化了整体系统性能。对于需要长期稳定运行且不易频繁更换硬件的应用场景，SST39VF160是一个成熟可靠的解决方案。

SST39VF160C-70-4C-F5
　　SST39VF160C-90-4C-F5
　　W29GL160AH-90
　　EN29LV160AB-70TIP
　　AM29LV160DB-70SI