SST26WF040BAT-104I/NP 是一款由Microchip Technology(原SST公司)生产的高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为4Mbit(512KB)。该芯片采用先进的SuperFlash?技术,具备高可靠性、快速读取和低功耗等优点,适用于各种嵌入式系统和存储应用。SST26WF040BAT-104I/NP 采用8引脚TDFN封装,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。
容量:4Mbit
电压范围:2.3V至3.6V
接口类型:SPI(串行外设接口)
时钟频率:最大支持80MHz
封装类型:8-TDFN
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
读取电流:典型值10mA(在80MHz下)
待机电流:典型值1.5μA
编程/擦除电压:内部电荷泵提供
擦除周期:100,000次
数据保持时间:100年
JEDEC标准:符合JEDEC SFDP(Serial Flash Discoverable Parameters)标准
SST26WF040BAT-104I/NP 具备多项先进的技术特性,确保其在多种应用环境下的稳定性和可靠性。首先,该芯片采用SuperFlash?技术,具备卓越的耐久性和数据保持能力,可支持高达100,000次擦写周期,数据保存时间可达100年以上,适用于需要频繁更新数据的应用场景。
其次,SST26WF040BAT-104I/NP 支持高速SPI接口,最高时钟频率可达80MHz,实现快速数据读取,提升系统响应速度。其工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源环境,降低了系统设计的复杂性。
此外,该芯片具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗仅为1.5μA,有助于延长电池供电设备的续航时间。在正常读取操作下,典型电流消耗为10mA,兼顾性能与功耗需求。
为了确保数据的完整性,SST26WF040BAT-104I/NP 内置硬件写保护机制,防止意外数据写入或擦除。同时,该芯片支持软件和硬件两种方式的块保护功能,可对部分或全部存储区域进行锁定,适用于需要数据保护的应用场景。
最后,SST26WF040BAT-104I/NP 符合JEDEC SFDP(Serial Flash Discoverable Parameters)标准,便于主控器识别和配置,提升系统的兼容性和可扩展性。
SST26WF040BAT-104I/NP 广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,包括工业控制、通信设备、消费电子产品、汽车电子和物联网设备等。在工业控制领域,该芯片可用于存储程序代码、校准数据和系统配置信息,适用于PLC、传感器和自动化设备等场景。
在通信设备中,SST26WF040BAT-104I/NP 可用于存储固件、配置参数和日志数据,适用于路由器、交换机、无线基站和智能网关等设备。
在消费电子产品中,该芯片适用于智能手表、穿戴设备、智能家居控制器和电子书阅读器等低功耗应用场景,提供可靠的数据存储方案。
在汽车电子领域,SST26WF040BAT-104I/NP 可用于车载导航系统、车载娱乐系统、远程信息处理单元(Telematics)和车身控制模块(BCM)等设备,满足汽车工业对高可靠性和宽温度范围的要求。
此外,该芯片还适用于物联网(IoT)设备,如智能电表、远程监控终端和环境监测设备,为数据存储和固件更新提供稳定支持。
SST26VF040BAA-104I/SN
IS25LP040B-JBLE
MX25R4033FZNI-10G
W25Q40FWJVIM
AT25SF401-SSHD-B