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AUIRFR5410 发布时间 时间:2025/6/23 13:34:08 查看 阅读:5

AUIRFR5410 是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型MOSFET。它采用TO-263-7封装,适用于需要高可靠性和高效能的场景。该器件具有低导通电阻和快速开关能力,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场合。
  这款MOSFET通过了严格的AEC-Q101认证,确保其能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。此外,它的设计考虑到了电磁兼容性(EMC)和热管理的需求,使其成为汽车电子系统中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:38A
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷(典型值):89nC
  总电容(输入电容):1180pF
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-7

特性

AUIRFR5410具备极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。同时,其快速开关性能可降低开关损耗,适合高频操作环境。
  器件的高雪崩能力和鲁棒性使得它能够承受异常情况下的电压尖峰,从而提升了系统的可靠性。
  此外,该MOSFET支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,进一步增强了其在复杂工况下的适应能力。
  其出色的热性能允许更高的功率密度,并简化了散热设计的要求。结合车规级认证,该器件在极端温度条件下仍能保持卓越表现。

应用

AUIRFR5410广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于:
  1. 汽车DC-DC转换器
  2. 负载开关和配电
  3. 电动助力转向系统(EPS)
  4. 制动能量回收系统
  5. 各类电机驱动电路
  6. 车载充电器(OBC)
  7. LED照明驱动
  8. 电池管理系统(BMS)中的开关组件

替代型号

IRFR5410,
  STP55NF06,
  INFINEON_BSC038N06NS5

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AUIRFR5410参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C205 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大66W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件