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SST112 发布时间 时间:2025/7/12 8:49:12 查看 阅读:5

SST112是一款由Microchip Technology(原SST公司)生产的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。该器件结合了高速SRAM与非易失性存储技术,能够在系统断电时自动将数据保存到非易失性存储区域,无需外部电池支持。这使其特别适用于需要高可靠性和快速数据访问的应用场景。
  SST112采用标准的SPI接口进行通信,具有较低的功耗和较高的读写速度。其非易失性特性使得它在工业自动化、医疗设备、通信系统等领域得到了广泛应用。

参数

容量:512Kb
  接口类型:SPI
  工作电压:1.8V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:8引脚SOIC
  数据保存时间:超过10年
  写入次数:超过1百万次

特性

SST112的主要特性包括:
  1. 非易失性:即使在系统断电后,数据也能完整保存。
  2. 高速性能:具备SRAM级别的读写速度,能够实现快速数据访问。
  3. 自动数据保存:内置电源管理电路,在检测到电源即将断开时会自动将数据从SRAM转移到非易失性存储单元。
  4. 低功耗设计:待机模式下的电流消耗极低,适合对功耗要求严格的设备。
  5. 可靠性高:经过严格测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  6. 简化系统设计:无需额外的备用电池或复杂的掉电保护电路,降低了系统复杂度。

应用

SST112适用于多种需要非易失性存储和高性能数据访问的应用场合,具体包括:
  1. 工业自动化中的实时数据记录与控制。
  2. 医疗设备的数据采集和日志存储。
  3. 通信系统中的配置文件和状态信息保存。
  4. 计量仪表中的能耗数据记录。
  5. 数据记录仪和其他嵌入式系统的非易失性存储需求。

替代型号

SST212, SST114

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SST112参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 闸/源击穿电压- 35 V
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23 (TO-236)
  • 封装Can
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.006 S
  • 工厂包装数量1000