漏源电压 VDS：600V
　　漏极电流 ID：8A
　　导通电阻 RDS(on)：典型值 0.95Ω（最大值 1.2Ω）
　　栅极电压 VGS：±30V
　　功耗 PD：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

SSS8N60FI 具备多项优异的电气和物理特性，适用于多种功率电子系统设计。首先，该 MOSFET 的导通电阻较低，典型值为 0.95Ω，在高电流工作条件下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，其漏源击穿电压高达 600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。
　　此外，SSS8N60FI 采用了 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中保持稳定的热性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力和抗过热能力，能够在复杂的工作环境中保持较高的可靠性。
　　在驱动特性方面，SSS8N60FI 的栅极电荷（Qg）较低，便于快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时，其栅极电压范围较宽（±30V），提高了驱动兼容性和设计灵活性。
　　最后，SSS8N60FI 在制造过程中采用了环保材料，符合 RoHS 环保标准，适用于工业和消费类电子产品中的绿色设计需求。

SSS8N60FI 适用于多种功率电子系统的开关控制应用。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、LED 驱动电源、电池充电器、UPS 不间断电源以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合中高功率 AC-DC 和 DC-DC 转换器的设计。此外，由于其良好的热稳定性和封装散热能力，也广泛应用于高密度电源模块和嵌入式电源系统中。

8N60, FQP8N60C, IRF8N60C, STP8NM60ND