时间：2025/9/15 2:48:37
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PSMN012-80PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件封装在 LFPAK56 封装中，具备优良的热性能和机械稳定性，适用于各类电源管理和功率转换应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：80 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：120 A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：1.2 mΩ（最大值，典型值 0.9 mΩ）
功耗（Ptot）：130 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（双面散热）
PSMN012-80PS 的核心优势在于其极低的导通电阻和高电流能力，使其在大功率应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。其采用的 LFPAK56 封装技术不仅提升了散热性能，还增强了器件在高电流条件下的可靠性。此外，该 MOSFET 具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极设计支持快速开关操作，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。器件还具备良好的热稳定性，确保在高负载条件下的长期可靠性。Nexperia 的制造工艺确保了该器件在性能和一致性方面表现出色，适用于汽车电子、工业电源、电机控制和能源管理系统等多种应用场景。
PSMN012-80PS 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、服务器电源、光伏逆变器以及电动汽车的充电和能量管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要大电流负载切换的场合。
PSMN012-80YSF
