类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：95A @25℃
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ @Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃

LZ95N20的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为200V，能够满足中高功率电源应用的需求。此外，该器件支持高达95A的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，提高了单位面积内的电流密度，从而在有限的封装尺寸下实现更高的性能。LZ95N20的热阻较低，能够在高功率工作条件下保持较好的热稳定性，减少过热失效的风险。
　　另一个显著特点是其栅极驱动兼容性良好，栅源电压范围为±20V，典型驱动电压为10V时即可实现完全导通。这使得LZ95N20能够与常见的MOSFET驱动IC或控制器配合使用，简化外围电路设计。
　　此外，LZ95N20具有较强的短时过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流，适用于需要瞬态响应的应用场景。其封装形式通常为TO-247或TO-263（D2PAK）等，便于散热和安装。

LZ95N20适用于多种功率电子设备，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于高效率电源转换和高频开关应用。在电机控制领域，LZ95N20可以作为H桥的上桥或下桥开关元件，提供稳定可靠的功率输出。在新能源领域，如电动汽车和储能系统中，该器件也常用于功率管理模块的设计。

IXFN96N20、IRF3710、FDP95N20、STP95N20F7、SiHF95N20