时间：2025/7/3 17:21:46
阅读：6
IPP048N04是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式，广泛应用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景中。其主要特点是低导通电阻和高效率，适用于需要高性能和低功耗的应用场合。
该型号的IPP048N04属于OptiMOS系列，优化了动态性能和热性能，适合工业及消费电子领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：7nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252
IPP048N04的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高度优化的栅极电荷（Qg），能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
3. 良好的热稳定性，支持在高温环境下可靠运行。
4. 紧凑型封装设计，便于PCB布局和安装。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 出色的雪崩能力和鲁棒性，确保在异常情况下的可靠性。
这些特点使得IPP048N04非常适合用于高效能功率转换和负载切换应用。
IPP048N04广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
凭借其出色的电气特性和紧凑的设计，IPP048N04成为许多工程师在设计中小功率应用时的理想选择。
IPP050N04L, IPP060N04S
