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FN15F104Z250PNG 发布时间 时间:2025/7/11 16:58:20 查看 阅读:8

FN15F104Z250PNG是一款由Fairchild(现为Onsemi)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用PDFN封装,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于便携式设备、开关电源、DC-DC转换器等场景。
  这款MOSFET通过优化的芯片设计实现了较低的导通损耗和开关损耗,能够有效提高系统的整体能效。

参数

型号:FN15F104Z250PNG
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:PDFN
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(持续漏电流):15A
  Qg(栅极电荷):9nC
  EAS(雪崩能量):62mJ
  f(工作频率范围):高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

FN15F104Z250PNG采用了先进的制程技术,具备卓越的电气性能和可靠性。
  1. 极低的导通电阻Rds(on),使其在高频应用中表现出色,同时减少功率损耗。
  2. 小型PDFN封装节省了PCB空间,适合紧凑型设计。
  3. 高击穿电压Vds确保其能够在高压环境下稳定运行。
  4. 快速开关速度降低了开关损耗,提高了效率。
  5. 良好的热稳定性使其可以在较宽的温度范围内保持一致的性能。
  此外,该器件还具有出色的抗静电能力,增强了系统的鲁棒性。

应用

FN15F104Z250PNG适用于多种电力电子应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,如降压或升压转换器。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
  5. 工业自动化系统中的功率管理模块。
  6. 汽车电子中的辅助功能模块,例如LED驱动和电池管理。
  由于其高性能特点,FN15F104Z250PNG非常适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。

替代型号

IRLZ44N
  FDP5570
  AO3400

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