时间：2025/8/25 2:38:07
阅读：4
SSS80N06是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效率的功率处理能力。SSS80N06具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于需要高电流和快速开关的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：80A（连续）
导通电阻(Rds(on))：约2.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V~3V
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SSS80N06的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的开关性能。其低Rds(on)特性可以显著减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。SSS80N06采用TO-263或类似的大功率封装，便于散热和安装，适用于高功率密度设计。其快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等应用。
SSS80N06通常应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、电池管理系统(BMS)以及各种需要高电流开关的场合。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色。
IRF1404, STP80NF06, FDP80N06S
