SSS7N55 时间：2025/8/25 5:53:08 阅读：30

SSS7N55 是一款由 Silan（士兰微电子）生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于中高功率的开关应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：550V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：约 1.2Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220 或 TO-251

特性

SSS7N55 的主要特性包括其高耐压能力（550V），适用于多种中高压开关应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有良好的导通特性和较低的开关损耗。
　　其导通电阻约为 1.2Ω，有助于减少在高电流工作状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，SSS7N55 具有较高的栅极电压容限（±30V），增强了其在复杂电路环境中的稳定性和抗干扰能力。
　　该 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 TO-251，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　器件内部结构优化，提高了热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适合用于高温环境下工作的设备。
　　综合这些特性，SSS7N55 是一款性能可靠、适用于多种电源管理和功率控制应用的 MOSFET。

应用

SSS7N55 广泛应用于各类电源管理系统中，如 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动电源、电机控制电路、逆变器和充电器等设备。
　　其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效能和高稳定性的开关电源设计。
　　在工业自动化和电机驱动系统中，该器件可用于实现高效的功率控制和负载切换。
　　此外，SSS7N55 也常用于电池管理系统中的充放电控制电路，以提高能源利用效率。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，该 MOSFET 也适用于一些环境条件较为严苛的工业和通信设备中。