SSS3N60B 时间：2025/12/29 15:21:36 阅读：9

SSS3N60B是一款由威世（Vishay）公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合高效率和高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ（典型值为3.0mΩ）
　　封装形式：PowerPAK? SO-8双片封装
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

SSS3N60B的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；其PowerPAK? SO-8双片封装技术使得器件在小尺寸封装中具备优异的热性能和电流承载能力。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统效率。栅极设计优化了开关损耗，减少了电磁干扰（EMI）。此外，SSS3N60B具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。