时间：2025/8/25 3:34:18
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SSP6N90是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由台湾半导体公司Silicon Touch Technology（原属于Sanken Electric）生产。该器件设计用于高电压、中高功率的应用，具备良好的导通性能和高耐用性，适用于电源管理、马达控制、DC-DC转换器、开关电源等领域。SSP6N90具有900V的漏源电压（VDS）和6A的连续漏极电流（ID），能够满足高电压应用中的严苛要求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：900V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：6A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、TO-252等
导通电阻(RDS(on))：约1.8Ω（典型值）
功率耗散(PD)：50W（TO-220封装）
SSP6N90具备优异的高电压工作能力，能够在高达900V的漏源电压下稳定运行，适用于高压开关电源和工业设备中的功率控制应用。其导通电阻（RDS(on)）较低，通常在1.8Ω左右，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提高整体能效。此外，该器件具备较高的栅极电压耐受能力，最大可达±30V，增强了在复杂开关环境下的稳定性。
SSP6N90采用了先进的平面MOSFET工艺，提供了良好的热稳定性和可靠性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。其封装形式如TO-220和TO-252有助于快速散热，确保长时间运行的安全性。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持一定的抗冲击能力，提高系统稳定性。
此外，SSP6N90的开关特性表现良好，具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用。其内部结构优化了开关损耗，有助于提升整体效率。这些特性使得SSP6N90广泛应用于各种电源转换、马达控制、LED驱动、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制部分。
SSP6N90广泛应用于各类高压功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动电路（如LED驱动器）、家电电源管理模块以及工业自动化控制系统。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也适用于需要高可靠性的工业设备和电力电子装置，如UPS不间断电源、变频器、高频逆变器以及电焊机等。此外，SSP6N90还可用于高电压环境下的负载开关控制，如电热器、电磁阀、继电器等大功率负载的驱动。
FQP6N90C、IRF6N90C、KSP6N90、STP6N90Z、TK6N90W、AP6N90
