型号：74F579D
　　系列：74F (高速TTL)
　　功能类型：6位透明D型锁存器
　　输出类型：互补输出（Q和/Q）
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　高电平输出电流：-0.8mA
　　低电平输出电流：16mA
　　传播延迟时间（典型值）：约3.5ns（从CLK到Q）
　　最高工作频率：可达100MHz以上（取决于负载条件）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　引脚数量：16
　　封装类型：SO16 或 DIP16

74F579D的核心特性之一是其高速性能，得益于74F系列采用的先进双极型硅门工艺，使得该器件的传播延迟显著低于传统的74LS或74HC系列。在典型工作条件下，其数据从输入到输出的延迟仅为几纳秒，确保了在高频系统中数据的及时响应和稳定传输。这种高速能力使其特别适用于需要快速锁存和输出更新的应用，如总线接口电路、高速数据采集系统以及实时控制逻辑中。此外，该器件具备较低的功耗与高速度之间的良好平衡，虽然比CMOS系列功耗略高，但在同等速度下仍优于多数TTL系列。
　　另一个关键特性是其透明锁存机制。当使能端（通常为G或LE信号）处于有效电平时，输入端的数据会直接传递到输出端，表现为“透明”状态；一旦使能信号变为无效，输入数据被立即锁存并保持，直到使能再次有效。这种行为允许系统在特定时刻精确捕获数据，例如在微处理器系统中用于锁存地址总线信息。互补输出结构进一步增强了其驱动能力，Q和/Q同时提供正相和反相信号，可用于驱动差分接收器、提高抗干扰能力或简化后续逻辑电路的设计。
　　74F579D还具备较强的驱动能力和良好的噪声抑制特性。每个输出端可提供高达16mA的灌电流，足以直接驱动多个TTL输入负载或小型指示设备。其输入端设计符合标准TTL电平规范，能够无缝接入由微控制器、FPGA或其他逻辑器件构成的系统。此外，该器件在电源稳定性方面表现良好，内置去耦结构有助于减少开关噪声对整体系统的影响。尽管属于较早一代的TTL技术，但74F579D因其可靠性与成熟性，仍在工业控制、通信模块和教育实验设备中持续使用。

74F579D主要用于需要高速数据锁存和缓冲的数字系统中。典型应用场景包括微处理器系统的地址锁存器，用于在多路复用总线上分离地址与数据信号。例如，在8051或类似架构的系统中，P0口作为地址/数据复用总线时，需外接74F579D类锁存器在ALE（地址锁存使能）信号控制下锁存地址低字节。此外，该器件也常用于高速数据采集系统中，作为前端缓冲单元，临时存储来自传感器或多路开关的并行数据，确保主控单元能以稳定节奏读取信息。
　　在通信接口电路中，74F579D可用于并行数据的同步与电平转换，特别是在需要互补输出驱动差分线路或光耦隔离电路的场合。其互补输出结构可直接连接差分比较器或驱动变压器耦合接口，提升信号完整性。在工业控制领域，该芯片可用于PLC模块中的状态保持电路，或作为显示驱动的中间锁存级，防止显示内容在更新过程中出现闪烁。
　　此外，74F579D也适用于测试测量设备中的数据暂存单元，例如逻辑分析仪或数字示波器的前端模块，用于在触发事件发生时快速锁定输入通道的状态。由于其高速响应特性，即使在纳秒级时序要求下也能可靠工作。教育实验平台中也常采用此类器件进行基础数字逻辑教学，帮助学生理解锁存器、时序逻辑和总线操作的基本原理。尽管现代设计更多转向集成度更高的ASIC或FPGA方案，但在原型开发、维修替换或特定高速接口中，74F579D仍具实用价值。

74ACT579D
　　74F579DW
　　SN74F579N
　　HD74F579P