PG05FSTFC 时间：2025/12/28 16:15:48 阅读：9

PG05FSTFC 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：连续 150A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.3mΩ（在 VGS=10V 时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　

特性

PG05FSTFC 具备极低的导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。该器件采用了罗姆的先进沟槽结构技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其适用于高频开关应用。此外，PG05FSTFC 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间正常工作，便于与各种驱动电路兼容。此外，该 MOSFET 的短路耐受能力较强，提高了系统在异常工况下的可靠性。
　　该器件的封装设计还考虑到了绝缘和耐压要求，具备较高的机械强度和长期可靠性，适合用于工业电源、电动工具、电动车控制器等对性能和稳定性要求较高的应用场合。

应用

PG05FSTFC 常用于各种高功率电子系统中，例如 DC-DC 升压/降压转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、开关电源（SMPS）以及负载开关等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。在电动车和工业自动化设备中，该器件也常用于功率控制和能量管理模块。