SSP6N55 时间：2025/8/25 6:18:03 阅读：1

SSP6N55 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率管理和电源转换应用。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。SSP6N55 采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：550V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

SSP6N55 具备多项优异的电气和热性能，使其在高电压功率应用中表现出色。其漏源耐压（Vds）高达550V，使其适用于高压电源转换器和工业控制设备。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），具有较高的抗过压能力，同时也便于与多种类型的驱动电路兼容。
　　导通电阻（Rds(on)）的最大值为1.5Ω，在额定电流下能保持较低的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-220封装设计有助于快速散热，从而提高整体系统的可靠性。
　　在开关特性方面，SSP6N55 拥有较快的开关速度，适用于高频开关应用，同时具备较低的栅极电荷（Qg），减少了驱动损耗。其耐用性和稳定性使其成为各种高可靠性应用中的理想选择，如AC-DC电源、照明驱动和工业自动化设备中的功率开关。

应用

SSP6N55 主要应用于需要高耐压、中等电流能力的功率MOSFET场景。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、照明控制系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备中的负载开关控制。其优异的导通特性和热管理能力也使其适用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及家用电器中的功率控制电路。