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SSP5N80 发布时间 时间:2025/8/25 4:59:20 查看 阅读:21

SSP5N80 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等高功率场景。这款器件采用高压工艺制造,具备良好的导通特性和耐压能力,适用于中高功率转换系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):5A
  最大漏源电压(VDS):800V
  导通电阻(RDS(on)):约 1.2Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):约 2.0V 至 4.0V
  最大栅极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220、DPAK(根据制造商不同可能有差异)

特性

SSP5N80 具备较高的漏源击穿电压(800V),使其适用于高电压应用,例如开关电源和离线适配器。该器件的低导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高系统效率。此外,该 MOSFET 提供快速的开关速度,有助于减小开关损耗并提高整体性能。
  该器件采用了先进的高压制造工艺,具有良好的热稳定性和长期可靠性。其栅极驱动要求较低,可以与标准驱动电路兼容,从而简化设计。此外,SSP5N80 具备良好的短路和过载耐受能力,有助于增强系统在极端条件下的稳定性。
  在封装方面,SSP5N80 通常采用 TO-220 或 DPAK 等常见功率封装形式,便于散热和安装,适合在紧凑型电源设计中使用。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于工业级和消费类电子产品。

应用

SSP5N80 主要用于各种中高功率电源系统,包括开关电源(SMPS)、AC-DC 适配器、DC-DC 转换器、电机控制电路、负载开关和 LED 照明驱动器等。由于其高耐压特性,它也常用于离线式电源设计,例如用于家电、工业控制设备以及通信电源模块中的功率开关。
  在开关电源中,SSP5N80 可作为主开关器件,用于实现高效率的电能转换;在电机控制电路中,它可以作为功率开关来驱动直流电机或步进电机;在 LED 驱动器中,该器件可用于调节输出电流,实现恒流驱动;此外,它也可用于电池管理系统中的开关控制电路,实现高效的能量管理。

替代型号

FQP5N80、IRF5N80、KSP5N80、STP5N80Z

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