时间：2025/8/25 4:59:20
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SSP5N80 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等高功率场景。这款器件采用高压工艺制造，具备良好的导通特性和耐压能力，适用于中高功率转换系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：800V
导通电阻（RDS(on)）：约 1.2Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：约 2.0V 至 4.0V
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、DPAK（根据制造商不同可能有差异）
SSP5N80 具备较高的漏源击穿电压（800V），使其适用于高电压应用，例如开关电源和离线适配器。该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该 MOSFET 提供快速的开关速度，有助于减小开关损耗并提高整体性能。
该器件采用了先进的高压制造工艺，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其栅极驱动要求较低，可以与标准驱动电路兼容，从而简化设计。此外，SSP5N80 具备良好的短路和过载耐受能力，有助于增强系统在极端条件下的稳定性。
在封装方面，SSP5N80 通常采用 TO-220 或 DPAK 等常见功率封装形式，便于散热和安装，适合在紧凑型电源设计中使用。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。
SSP5N80 主要用于各种中高功率电源系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器、DC-DC 转换器、电机控制电路、负载开关和 LED 照明驱动器等。由于其高耐压特性，它也常用于离线式电源设计，例如用于家电、工业控制设备以及通信电源模块中的功率开关。
在开关电源中，SSP5N80 可作为主开关器件，用于实现高效率的电能转换；在电机控制电路中，它可以作为功率开关来驱动直流电机或步进电机；在 LED 驱动器中，该器件可用于调节输出电流，实现恒流驱动；此外，它也可用于电池管理系统中的开关控制电路，实现高效的能量管理。
FQP5N80、IRF5N80、KSP5N80、STP5N80Z
