型号：BCR30GM-8L
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PG-HSOF-8（8引脚）
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：19A
　　脉冲漏极电流IDM：76A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.2mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：11nC
　　输入电容Ciss（典型值）：720pF
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　关断延迟时间td(off)：17ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　热阻Rth(j-c)：1.8K/W

BCR30GM-8L采用了英飞凌先进的沟槽栅极MOSFET技术，这种技术通过在硅基材上构建垂直导电沟道，有效增加了单位面积内的沟道密度，从而显著降低了导通电阻RDS(on)，提高了器件的载流能力。该器件在VGS=10V时的最大导通电阻仅为4.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为6.2mΩ，表现出优异的低压驱动能力，使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或PWM控制器驱动。这不仅简化了系统设计，还降低了整体成本和功耗。此外，低RDS(on)意味着在导通状态下产生的I2R损耗更小，有助于提升电源转换效率并减少散热需求。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为11nC（典型值），结合720pF的输入电容Ciss，使得开关速度非常快，开启延迟时间仅8ns，关断延迟时间为17ns，适合高频开关应用（如数百kHz至MHz级DC-DC变换器）。快速开关能力减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了系统能效。同时，低栅极电荷也减轻了驱动电路的负担，允许使用更低驱动电流的控制器，有助于降低待机功耗。
　　BCR30GM-8L采用PG-HSOF-8封装，这是一种表面贴装型、低热阻、低寄生电感的先进封装技术。其热阻Rth(j-c)仅为1.8K/W，表明从芯片结到封装外壳的热量传导效率非常高，有利于将内部产生的热量迅速传递至PCB铜箔或散热器，从而维持较低的工作温度，提高长期可靠性。封装引脚设计优化了源极与控制回路的分离（Kelvin Source连接），可有效减少共源电感对开关瞬态的影响，抑制栅极振荡，提升开关稳定性，尤其在大电流快速切换时表现更为突出。
　　该器件具备良好的雪崩耐量和抗短路能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。所有参数均经过严格测试和筛选，确保批次一致性高，适合大规模自动化生产应用。

BCR30GM-8L主要应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter）中的下管或上管开关，尤其是在VRM（电压调节模块）和POL（点负载电源）设计中，其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高达95%以上的转换效率。在DC-DC电源模块中，它常用于隔离式和非隔离式拓扑结构的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提升整体能效，特别是在低输出电压（如1V~5V）、大电流输出的应用中优势明显。
　　该器件也广泛用于电池供电设备中的负载开关或热插拔控制电路，凭借其低静态功耗和快速响应能力，可实现对负载的精确通断控制，防止浪涌电流冲击系统电源总线。在电机驱动应用中，BCR30GM-8L可用于H桥或半桥拓扑中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停和方向，其高电流承载能力和良好热性能保证了长时间运行的稳定性。
　　此外，BCR30GM-8L适用于各类工业控制设备、通信基础设施（如基站电源）、消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电源管理单元）、LED驱动电源以及USB PD充电器等高密度电源设计。由于其符合AEC-Q101可靠性标准的部分等级要求，也可用于车载信息娱乐系统或辅助电源系统中，满足汽车电子对元器件质量和稳定性的基本需求。其紧凑的8引脚封装非常适合空间受限的设计，帮助工程师实现更轻薄、更高集成度的产品形态。

BSC019N03LSG, BUK9Y30-30E, FDMC3602, SI4400DY