PFP140N10P 时间：2025/8/7 5:05:07 阅读：8

PFP140N10P 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　漏极电流 Id（连续）：140A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 5.2mΩ（最大值 6.5mΩ）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2.0V 至 4.0V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 或 TO-220FP
　　功耗（Ptot）：200W

特性

PFP140N10P 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件的高电流容量（140A）使其能够处理大功率负载，适用于电机驱动和高电流开关电路。此外，PFP140N10P 提供了良好的热管理能力，封装设计支持高效散热，确保在高温环境下稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）增强了器件在极端环境下的可靠性。栅极驱动电压范围较宽（通常 10V 驱动），使其与多种控制器和驱动 IC 兼容。此外，MOSFET 具备低开关损耗，有助于实现高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统性能。

应用

PFP140N10P 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，例如直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。此外，它也适用于工业自动化设备、服务器电源、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等场合。