时间：2025/6/16 22:20:16
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NTTFS4930NTWG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效功率管理的场景。
该芯片在设计上注重降低功耗和提升系统可靠性，其卓越的热性能和电气性能使其成为许多高电流应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：38A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：41nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTTFS4930NTWG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了更高的转换效率并减少了散热需求。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高高频电路性能。
3. 高额定电流能力，可支持大负载应用。
4. 稳健的热性能，能够适应高温环境下的长期运行。
5. 出色的抗雪崩能力和 ESD 性能，提高了系统的可靠性和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
这款功率 MOSFET 可用于多种领域和应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 电动车和混合动力车内的电池管理系统 (BMS)。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. LED 驱动器中的高效功率管理单元。
6. 各类负载切换和保护电路。
NTTF49N30E, IRFZ44N, FDP55N30
