SSP28005GC 是一款由 Sanken(三研)公司生产的功率 MOSFET 晶体管,主要设计用于高效率的功率转换应用。该器件采用先进的硅技术制造,具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):最大5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220AB
SSP28005GC 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其5mΩ的Rds(on)值在高电流应用中尤为关键,能够减少功率损耗并降低工作温度,从而提升整体系统的稳定性和寿命。
此外,该MOSFET支持高达20A的连续漏极电流,具备较强的电流承载能力,适用于高功率密度的设计。器件的栅极驱动电压范围较宽,可在+10V至+20V之间工作,提供良好的开关性能与稳定性。
该器件采用TO-220AB封装,具备良好的散热性能,适用于需要高可靠性的工业级应用。封装结构也有助于简化PCB布局并提升机械强度。
值得一提的是,SSP28005GC 具有较高的热阻性能,能够在高温环境下稳定工作,适合用于高负载和恶劣工况下的电源系统。
SSP28005GC 被广泛应用于各种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。由于其优异的导通性能和热管理能力,该器件也适用于需要高效率和高可靠性的新能源设备,如太阳能逆变器、电动汽车充电模块等。此外,在消费类电子产品中,它也可用于高性能电源管理模块的设计。
IRF3205, STP20NF10, FDP28005