SSP28005GC 时间：2025/9/3 12:49:56 阅读：23

SSP28005GC 是一款由 Sanken（三研）公司生产的功率 MOSFET 晶体管，主要设计用于高效率的功率转换应用。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

SSP28005GC 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其5mΩ的Rds(on)值在高电流应用中尤为关键，能够减少功率损耗并降低工作温度，从而提升整体系统的稳定性和寿命。
　　此外，该MOSFET支持高达20A的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力，适用于高功率密度的设计。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，提供良好的开关性能与稳定性。
　　该器件采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业级应用。封装结构也有助于简化PCB布局并提升机械强度。
　　值得一提的是，SSP28005GC 具有较高的热阻性能，能够在高温环境下稳定工作，适合用于高负载和恶劣工况下的电源系统。

应用

SSP28005GC 被广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的新能源设备，如太阳能逆变器、电动汽车充电模块等。此外，在消费类电子产品中，它也可用于高性能电源管理模块的设计。