时间：2025/9/4 1:58:28
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SSP26111VF160A 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能，适用于如DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制和工业自动化等高要求场景。SSP26111VF160A 采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于现代高密度电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：1.15mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
SSP26111VF160A MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其100V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压应用，如服务器电源、电信设备和电动车电源管理系统。此外，该器件具有高电流承载能力，支持高达160A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
该MOSFET采用先进的沟槽式工艺技术，提升了器件的开关性能和热稳定性，降低了开关损耗。PowerFLAT 5x6封装具有良好的热导性能，有助于快速散热，确保器件在高负载条件下的稳定运行。此外，该封装无引脚设计减少了寄生电感，提高了高频应用中的性能表现。
SSP26111VF160A 还具有优异的耐用性和可靠性，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端温度条件下正常工作。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
SSP26111VF160A 广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高效率和高电流能力使其成为服务器电源、通信设备电源、电动车充电系统以及高性能计算设备的理想选择。
在DC-DC转换器中，SSP26111VF160A 可作为主开关器件，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路；在电机控制应用中，其高电流能力支持驱动大功率电机，提升系统响应速度和稳定性。此外，在工业自动化和智能电网系统中，该MOSFET可用于实现高效的功率管理和负载切换。
STL160N10F7, IPP160N10S4-03, IRF3207
