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IXFN32N80P 发布时间 时间：2023/3/7 14:32:52 查看 阅读：605

    类别：半导体模块

    家庭：MOSFETs

    系列：PolarHV?

    

目录

概述

    类别：半导体模块

    家庭：MOSFETs

    系列：PolarHV?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 16A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：800V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：29A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8820nF @ 25V

    功率 - 最大：625W

    安装类型：底座安装

    封装/外壳：SOT-227, miniBLOC

    包装：管件

    供应商设备封装：*


资料

厂商
IXYS

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IXFN32N80P产品

IXFN32N80P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列PolarHV™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8820nF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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