类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：170A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.6mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

SSP17036FV60 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 3.6mΩ，这大大降低了在高电流应用中的导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗。
　　另一个显著的特性是其高电流承载能力，最大漏极电流可达 170A，使其适用于大功率应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下稳定工作，适应严苛的工作环境。
　　此外，该器件具有较高的栅极电压耐受能力，支持 ±20V 的栅极电压，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其 TO-252（DPAK）封装不仅便于安装在 PCB 板上，还具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。

SSP17036FV60 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、服务器电源、工业电源、电动汽车充电系统、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 驱动器。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 在开关电源（SMPS）中表现尤为出色，能够显著降低导通损耗，提高整体能效。在电机控制和电动车应用中，它可用于高侧或低侧开关，实现高效、稳定的功率控制。
　　此外，该器件还适用于大功率负载开关、太阳能逆变器和储能系统，满足对高可靠性和高性能功率器件的需求。

SiS170N10NLC, IRF170N6TR1PBF, IPP170N10N3G