时间：2025/6/25 16:44:07
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SSM6N7002FU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。设计，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。
SSM6N7002FU 的主要特点是具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其较高的漏源击穿电压 (Vds) 和较大的漏极电流能力使其适合于高电压和大电流的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252
Vds（漏源击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（最大漏极电流）：34A
Vgs（栅源电压）：±20V
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
输入电容：1050pF
SSM6N7002FU 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 提供出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
5. 内部优化的设计结构使得其抗雪崩能力和抗静电能力较强，从而提高了可靠性。
6. 紧凑型封装设计，便于在有限空间内进行安装与布局。
SSM6N7002FU 常用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 各类工业电子设备中的电源管理模块。
5. LED 驱动器中的功率级元件。
6. 通信设备中的 DC/DC 转换电路。
IRF7409,
FDP5800,
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