类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：1.8 MHz至500 MHz
　　输出功率：125W（典型值）
　　工作电压：28V
　　增益：20dB（典型值）
　　效率：65%以上
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　封装类型：陶瓷气密封TO-3AB
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF891S具备多项优良特性，首先，它在VHF/UHF频段内具有高输出功率能力，适合用于高功率放大器设计。其次，该器件采用LDMOS技术，使得其在高频下仍能保持较高的效率和线性度，这对于减少热量产生、提高系统能效至关重要。
　　此外，MRF891S具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其陶瓷气密封装不仅提高了散热性能，还增强了器件在恶劣环境下的可靠性，适合工业和通信级应用。
　　该晶体管还具有较高的输入阻抗，使得与前级电路的匹配更加容易，减少了外部匹配电路的复杂度。同时，MRF891S的输入驻波比（VSWR）较低，有助于减少信号反射，提高整体系统的稳定性。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，MRF891S被广泛应用于广播发射机、无线基础设施、工业加热设备、医疗设备以及测试测量仪器等领域。

MRF891S 主要应用于以下领域：
　　1. 广播发射机：用于AM/FM广播、电视发射系统中的高功率放大环节。
　　2. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、微波中继站等，作为射频功率放大器使用。
　　3. 工业和医疗设备：例如射频加热、等离子体发生器等需要高功率射频能量的设备。
　　4. 测试与测量设备：用于射频信号发生器、功率放大器模块等测试仪器中。
　　5. 军用与航空航天：由于其高可靠性和宽温度范围工作能力，MRF891S也可用于军事通信、雷达系统等高要求环境。

MRF891S的替代型号包括MRF891SR1、MRF890S、MRF890SR1等，这些型号在性能参数和封装形式上与MRF891S相近，适用于类似的应用场景。