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SSM6N7002BFU,LF 发布时间 时间:2025/6/4 13:15:26 查看 阅读:5

SSM6N7002BFU,LF 是一款 N 沀道 场效应晶体管(MOSFET),由富士电机(Fuji Electric)生产。该器件采用 LF 封装,适用于高频开关应用,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
  这款 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高效率的电路设计中提供优异性能。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:1.4Ω
  栅极电荷:15nC
  总电容:380pF
  功耗:9W

特性

SSM6N7002BFU,LF 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,支持高达 700V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,仅为 1.4Ω,有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关速度,栅极电荷低至 15nC,提高工作效率。
  4. 小型 LF 封装,节省 PCB 空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代化电子产品需求。
  这些特点使其成为高效率电源转换和控制应用的理想选择。

应用

SSM6N7002BFU,LF 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制器
  4. PFC(功率因数校正)电路
  5. 工业自动化设备中的电源管理
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备
  由于其出色的电气性能和封装优势,该 MOSFET 在需要高效功率处理和空间优化的应用中表现卓越。

替代型号

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SSM6N7002BFU,LF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.1 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds17pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装US6(2.0x2.1)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SSM6N7002BFULFTR