时间：2025/8/2 7:35:07
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SSM6K504NU是一款由Sumitomo Electric Industries（住友电工）制造的射频（RF）功率晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。该器件广泛应用于无线通信、广播和工业设备中的射频放大器模块。SSM6K504NU具有高功率密度、高增益和高效率的特点，适用于高频段（如UHF、L波段和S波段）的射频应用。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
封装类型：塑料封装
最大漏极电流（Id）：50A
最大漏源电压（Vds）：65V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
输出功率：在2GHz频率下可达约100W
增益：约18dB
漏极效率：约60%
工作频率范围：典型应用在1GHz至2.7GHz之间
SSM6K504NU是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管，具备良好的线性度和热稳定性。其高输出功率和高效率使其成为基站、广播设备和工业加热设备中射频功率放大器的理想选择。该器件具有较高的增益，能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能，适用于多种无线通信标准。此外，SSM6K504NU采用塑料封装，具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
该晶体管的工作频率范围覆盖UHF、L波段和S波段，适用于各种高频应用。其高漏极效率减少了功耗和热量产生，提高了系统的整体能效。此外，该器件具有较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长期运行，适合工业和通信领域的高强度使用场景。SSM6K504NU的栅极驱动要求较低，简化了外围电路的设计，并提高了系统的整体稳定性。
SSM6K504NU主要应用于无线通信基站、广播发射机、工业射频加热设备、测试仪器和射频功率放大器模块。该器件适用于多种射频系统，如蜂窝通信（包括4G LTE和5G）、数字广播（DAB和FM）以及射频能量应用。其高功率处理能力和高效率使其成为需要高输出功率和稳定性能的射频系统的理想选择。
IXYS RF IX740N15L2-1, NXP BLF578XR
