GMS30C2216LQ 时间：2025/9/1 23:44:01 阅读：26

GMS30C2216LQ是一款由Giantec Semiconductor（巨积半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性。GMS30C2216LQ采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，具备良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GMS30C2216LQ MOSFET采用了先进的沟槽技术，使得其在低电压应用中具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度的电源系统，如服务器电源、通信设备电源、电池管理系统等。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温度环境下稳定工作。其TO-252封装形式提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。栅极驱动电压范围宽广（±20V），使得其兼容多种驱动电路设计，提升了设计的灵活性。

应用

GMS30C2216LQ MOSFET主要应用于各类高功率密度的电源系统，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。例如，在同步整流器中，GMS30C2216LQ可有效降低导通损耗，提高整流效率；在DC-DC转换器中，该器件可用于主开关或同步整流开关，提升整体转换效率。此外，由于其良好的热性能和封装散热能力，该MOSFET也常用于高功率负载开关和电机控制应用中。