时间：2025/6/5 18:02:44
阅读：23
SSM3K36MFV是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，适用于广泛的电源管理和信号切换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
SSM3K36MFV特别适合于需要高电流处理能力和高效能量转换的场合，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：29nC（典型值）
输入电容：2080pF（典型值）
总功耗：37W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗，并改善高频应用中的性能。
3. 高雪崩耐量，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 具备防静电保护功能（ESD Protection），提高了器件的可靠性。
5. 采用小型化封装（TO-Leadless），节省了PCB空间并支持表面贴装技术（SMT）。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级控制。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于提升转换效率。
3. 电池管理系统中的保护和切换开关。
4. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
5. 工业设备中的功率调节与信号传输。
6. 各类消费电子产品中的高效功率管理方案。
IRF3710, FDP5500, AO3402
