SSM3K335是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场合,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。SSM3K335以其优异的电气性能和可靠性著称,能够在高电流和高频条件下稳定工作。
其设计基于先进的半导体制造工艺,具备较低的导通电阻(Rds(on)),从而有效降低功率损耗并提升系统效率。此外,SSM3K335还具有快速开关特性,能够减少开关过程中的能量损失,非常适合现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:12A
导通电阻:4.5mΩ
总功耗:125W
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
SSM3K335的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于提高效率并降低热耗散。
2. 快速开关能力,可支持高频应用。
3. 高击穿电压(60V)确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 采用标准TO-220封装,易于安装和散热设计。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 具有出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
这些特性使得SSM3K335成为各种功率转换和控制应用的理想选择。
SSM3K335广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器,用于电压调节和电平转换。
3. 电机驱动电路,特别是中小型直流电机的控制。
4. 负载开关,在便携式电子设备中用于电源管理。
5. 各种工业控制和自动化设备中的功率开关。
由于其高效率和可靠性,SSM3K335适用于要求严格的工业和消费类电子产品。
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP18N60C
IXTK12N60L2