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SSM3K333R 发布时间 时间:2025/6/16 10:30:19 查看 阅读:4

SSM3K333R是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高效率并减少功率损耗。
  SSM3K333R为N沟道增强型MOSFET,其工作电压范围广,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  输入电容:950pF
  典型开关时间:ton=10ns, toff=18ns

特性

SSM3K333R具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低导通损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩耐量能力,提升系统可靠性。
  4. 小型封装设计,便于在紧凑空间内布局。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 支持大电流输出,满足高功率需求的应用场景。

应用

SSM3K333R广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器和充电器。
  2. 各类DC-DC转换电路。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 电池管理及保护系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换功能。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDMQ8203

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