KU086N10F 时间：2025/9/12 11:51:31 阅读：16

KU086N10F是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于如电源转换器、电机控制和电池管理系统等高效率电子设备。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.6mΩ
　　栅极电荷（Qg）：220nC
　　最大工作温度：175°C
　　封装类型：TO-247

特性

KU086N10F MOSFET的核心特性包括其低导通电阻（8.6mΩ），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用东芝专有的U-MOS技术，优化了沟槽结构，实现了高密度电流和较低的热阻。此外，KU086N10F的高耐压能力（100V）使其适用于多种高压开关电路。
　　该MOSFET的栅极电荷较低（220nC），有助于减少开关损耗，特别适合高频工作环境。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能有效应对高电流负载。KU086N10F的最高工作温度可达175°C，表明其在高温环境下依然能够稳定运行，非常适合对可靠性和稳定性要求较高的工业级应用。
　　此外，KU086N10F具备较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作，进一步增强了系统在严苛环境中的可靠性。这种特性使其成为电源管理和电机控制应用中的理想选择。

应用

KU086N10F广泛应用于各种高功率电子设备中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电动工具和电动车的电机控制系统。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件也适用于电池管理系统和太阳能逆变器等新能源领域。此外，KU086N10F还被用于工业自动化设备、服务器电源和不间断电源（UPS）等需要高可靠性和高效能的场景。