FN15N7R0C500PNG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它通常用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用中。这款器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该型号的封装形式为 PDFN5*6-8L,适合表面贴装技术(SMT),能够在紧凑的设计中提供高效的性能。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:15A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:25nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FN15N7R0C500PNG 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用。
3. 高度集成的保护功能,包括过流保护和热关断。
4. 紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 优异的热性能确保在高功率操作下的稳定性。
6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统的功率开关。
4. LED 驱动和背光调节。
5. 工业自动化设备中的功率模块。
6. 消费类电子产品中的高效能组件。
其高性能和可靠性使得 FN15N7R0C500PNG 成为许多高要求应用的理想选择。
IRFZ44N
FDP5500
STP16NF06
Si7860DP