时间：2025/5/9 9:00:27
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SSM3K16CT 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由东芝公司生产。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和高切换速度的特点。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）使用。这种 MOSFET 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用场景。
该型号的额定电压为 60V，能够满足大多数低压系统的电力电子需求，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：17nC（最大值）
开关时间：ton=19ns，toff=18ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SSM3K16CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，使其非常适合高频应用，例如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 小型化 DPAK 封装支持表面贴装工艺，提高了 PCB 设计的灵活性并简化了制造流程。
4. 较宽的工作温度范围，保证在极端环境下也能稳定运行。
5. 具备良好的热稳定性，确保长时间工作的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环境友好。
SSM3K16CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. LED 驱动器中的电流控制元件。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
SSM3K16DU, SSM3J18R, FDP16N60C
