CST1250F-680M是一款高性能的陶瓷电容器,属于CST系列,专为高频和射频应用设计。该型号采用多层陶瓷技术制造,具有低ESR(等效串联电阻)和高Q值特性,能够在高频条件下保持稳定的性能。这种电容器适用于滤波、耦合和去耦等电路中,尤其适合要求高频性能的应用场景。
该电容器的工作温度范围广,能够适应各种恶劣环境,并且具有优异的抗振动和抗冲击能力,确保在复杂环境下长期稳定运行。
容量:680pF
额定电压:50V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:径向
尺寸:12.5mm x 10mm
耐压等级:DC 50V
介质材料:C0G/NP0
损耗角正切:≤0.001
频率范围:1MHz - 1GHz
CST1250F-680M采用C0G/NP0介质材料,具备温度稳定性好、容量漂移小的特点。
其低ESR特性使其非常适合用于高频信号处理,尤其是在射频前端模块中表现出色。
该电容器具有较高的Q值,在谐振电路中能够显著降低能量损耗。
此外,它的结构设计坚固耐用,能够承受较大的机械应力,适用于航空航天、工业控制和通信设备等领域。
由于采用了多层陶瓷技术,该产品具有较小的体积和较轻的重量,有助于实现设备的小型化和轻量化。
CST1250F-680M广泛应用于高频和射频电路中,如无线通信系统、雷达设备、卫星通信以及医疗电子设备等。
它可以用作滤波器中的关键元件,以消除不必要的噪声和干扰信号。
在射频放大器中,该电容器可用于输入输出耦合,确保信号的完整性和稳定性。
此外,它还可以用作电源电路中的去耦电容,减少电源纹波对敏感电路的影响。
其高可靠性和宽温度范围特性,也使得它成为军事和航空领域的重要选择。
CST1250F-680M的替代型号包括KEMET的C0G系列电容器、AVX的NP0介质电容器以及TDK的同类产品。具体可参考以下型号:
C0G1808C680J5GAC206-680pF
TC35C680J0G125K