SSM3K04FS 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件主要应用于需要高效率和低导通损耗的场合,例如开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。它采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而提高了系统的整体性能。
SSM3K04FS 通过优化设计实现了低导通电阻和快速开关特性,非常适合高频开关应用。此外,其出色的热稳定性和可靠性也使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 VDSS:60V
最大栅源电压 VGSS:±20V
连续漏极电流 ID:85A
导通电阻 RDS(on):4.0mΩ(在 VGS=10V 的条件下)
总功耗 PD:290W(在 Ta=25℃ 时)
结温范围 Tj:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
SSM3K04FS 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),可降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,能够承受高达 85A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
4. 高耐压能力,最大漏源电压可达 60V。
5. 热稳定性强,能够在较宽的温度范围内正常工作。
6. 可靠性高,适用于各种恶劣的工作环境。
7. 封装为标准 TO-247,便于安装和散热设计。
SSM3K04FS 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
2. DC-DC 转换器,用于电压调节和电流控制。
3. 电机驱动电路,提供高效的电流切换功能。
4. 电池管理系统(BMS),用于保护和管理大容量电池组。
5. 工业自动化设备中的负载控制。
6. 消费类电子产品中需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP85NF06L