SSM3J351R 时间：2025/5/22 12:44:23 阅读：3

SSM3J351R 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为低电压应用设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。其封装形式为 SOT-23，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费类电子、通信设备和工业控制等领域。
　　SSM3J351R 的栅极驱动电压范围较宽，能够在较低的驱动电压下实现高效导通，同时具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　连续漏极电流：1.6A
　　导通电阻（典型值）：70mΩ
　　栅极电荷：4nC
　　总功耗：400mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

SSM3J351R 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，便于与低压逻辑电路配合使用。
　　3. 小巧的 SOT-23 封装形式，有助于减少 PCB 占用面积。
　　4. 高开关速度，非常适合高频应用。
　　5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件下的使用需求。
　　6. 内置 ESD 保护功能，提升器件的可靠性。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅。

应用

SSM3J351R 广泛用于以下领域：
　　1. 手机和其他便携式设备中的负载开关。
　　2. DC-DC 转换器和降压稳压器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统中的保护电路。
　　4. LED 驱动器和小型电机控制。
　　5. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
　　6. 数据通信设备中的信号切换和保护电路。
　　由于其低导通电阻和小尺寸的特点，SSM3J351R 在需要高效能和节省空间的应用中表现出色。