时间：2025/12/29 14:30:28
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RF1S70N03SM是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerTrench?技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡。该器件适用于需要高效率和高功率密度的电源转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制等。RF1S70N03SM采用紧凑的LFPAK56（又称为Power56）封装，具有良好的热性能和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：70A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大7.3mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：最大11mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56 (Power56)
RF1S70N03SM采用先进的PowerTrench?技术，使得导通电阻极低，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在Vgs=10V和Vgs=4.5V下均能提供优异的导通性能，支持在低电压栅极驱动条件下运行，适用于同步整流和负载开关等对效率要求高的场合。
该MOSFET的LFPAK56封装是一种无引脚、双面散热的封装形式，具有优异的热管理性能，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性。此外，该封装还支持PCB布局的高密度设计，有助于减小电源模块的整体尺寸。
RF1S70N03SM具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。其高dv/dt抗扰度和良好的短路耐受能力使其在高要求的工业和汽车应用中表现出色。
RF1S70N03SM广泛应用于各类高效率电源系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备。其优异的导通性能和热管理能力也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V轻混系统以及电动工具等应用。
Si7196DP-T1-GE3, Nexperia PSMN7R0-30YLC, Infineon BSC070N03LS
