时间：2025/5/20 22:48:56
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SSM3J331R 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等应用场合。
SSM3J331R 的设计优化了其在高频工作环境下的表现，同时具备良好的热特性和电气特性，非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：40mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下测量）
栅极电荷：8nC（典型值）
总功耗：710mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SSM3J331R 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用。
3. 小型封装，便于 PCB 布局和散热设计。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 内部集成保护功能，提高了系统的可靠性。
SSM3J331R 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机和直流无刷电机。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
SSM3K331R, SSM3J332R
