时间：2025/6/17 10:18:05
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SSM3J14T是罗姆（ROHM）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于各种高效能电源管理应用中。SSM3J14T广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备等领域。
SSM3J14T的工作电压范围较宽，能够承受高达20V的漏源极电压，并且在不同栅极驱动电压下表现出优异的性能。由于其出色的电气特性，该MOSFET非常适合用作负载开关、DC-DC转换器中的开关元件或电池保护电路等场景。
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±8V
持续漏电流(ID)：6.5A
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：45mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：29mΩ
栅极电荷(Qg)：15nC
总功耗(Ptot)：1.2W
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
SSM3J14T具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可有效减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于现代开关模式电源设计。
3. 较高的电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 小型封装(SOT-23-3)，节省PCB空间，方便布局。
5. 提供了强大的静电放电(ESD)防护功能，提高了系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅。
SSM3J14T可以应用于多种领域：
1. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
3. 开关模式电源(SMPS)及DC-DC转换器中的主开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 各种负载开关应用，例如USB端口保护和音频放大器供电切换。
SSM3J13T, SSM3J15T
