类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KM23SYD 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。其 30V 的漏源电压额定值使其适用于多种低压大电流应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等。该器件可承受高达 120A 的漏极电流，在高功率密度设计中表现出色。
　　此外，KM23SYD 的 TO-252 封装具备良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下维持稳定的温度表现。该封装也便于在 PCB 上安装和焊接，适用于自动化生产线。该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛工作环境下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，适用于多种类型的驱动电路，包括由微控制器或专用栅极驱动 IC 控制的应用。其栅极电荷（Qg）相对较低，有利于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　在应用中，KM23SYD 通常用于替代传统的双极型晶体管（BJT）以提高效率，并减少散热器的尺寸。它也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备等需要高效率功率控制的场合。

KM23SYD 主要用于各类功率电子设备中，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED 驱动器以及工业控制电路等。该器件的低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源系统设计中。此外，其良好的热稳定性和封装散热性能也使其适用于需要长时间高负载运行的工业和汽车电子应用。

IRF1324S, Si4410DY, IPD90N03S4-03